Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" icon

Програма дисципліни (Типова) "Технологічні основи електроніки" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 "Фізична та біомедична електроніка"

Реклама:



Скачать 159.31 Kb.
НазваниеПрограма дисципліни (Типова) "Технологічні основи електроніки" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 "Фізична та біомедична електроніка"
Дата конвертации19.12.2012
Размер159.31 Kb.
ТипПрограма
источник

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ХЕРСОНСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Кафедра “Фізична та біомедична електроніка”


Рег. №____________ ЗАТВЕРДЖУЮ

Перший проректор


Рогальський Ф.Б.

_____” __________2008 р.


навчальна програма дисципліни

(Типова)


“Технологічні основи електроніки”

статус дисципліни нормативна


для спеціальності: 6.090804 “Фізична та біомедична електроніка”


напряму підготовки 0908 “Електроніка”


факультету кібернетики


Херсон – 2008 р.

Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри “Фізична та біомедична електроніка”


Укладач: к.т.н., доцент Дощенко Г.Г.


Протокол № 11 від „ 26 ” 05. 2008 р.


Завідувач кафедри Новіков О.О.


Навчальну програму дисципліни (типова) схвалено методичною комісією спеціальності


Голова Новіков О.О.


Навчальну програму дисципліни (типова) схвалено на засіданні методичної ради факультету


Протокол № 6 від „ 30 ” 06. 2008 р.


Голова Кругла Н.А.


Вступ



З кожним роком напівпровідники все більше проникають в різні галузі науки і техніки, замінюючи електровакуумні прилади, або знаходять зовсім оригінальне специфічне застосування.

Розробка нових і удосконалення відомих напівпровідникових приладів, а також впровадження їх у техніку іде поруч з теоретичними дослідженнями фізичних та хімічних властивостей напівпровідників.

Технологія напівпровідникових матеріалів — це су­купність знань про способи виготовлення і обробки напівпровідникових матеріалів з різноманітними на­перед заданими електричними і іншими характеристи­ками.

Вона ґрунтується на знанні фізичних і хімічних вла­стивостей застосовуваних матеріалів і повному розумінні проваджуваних технологічних процесів.

Основною технічно важливою рисою напівпровідни­ків, яка виділяє їх серед інших твердих тіл, є висока залежність величини їх електропровідності від дії різних фізичних факторів: температури, опромінювання, елек­тричного і магнітного поля, тиску, взаємодії з різними частками високих енергій тощо. Ця властивість напів­провідників може проявлятися у більшій чи меншій мірі, що залежить головним чином від присутності в них невеликих кількостей певних хімічних домішок і просто­рової упорядкованості атомів.

Виробництво напівпровідникових приладів вимагає матеріалів з різноманітними електричними параметрами і різними залежностями їх від дії зазначених факторів. Задовольнити ці вимоги можливо шляхом раціонально побудованої технології виготовлення і обробки мате­ріалів.


Мета викладання дисципліни ”Технологічні основи електроніки ”- це формування знань, вмінь та навичок, необхідних в виборі технологічних прийомів при отриманні матеріалів, компонентів та приладів з заданими властивостями; знайомство студентів із перспективами у цій галузі знань; подальше становлення і вдосконалення спеціальних знань майбутніх фахівців.


Основні завдання курсу: ознайомлення з основами сучасної технологією електронної техніки; вивчення схеми технологічного процесу; вивчення базових технологічних процесів та технологічного обладнання; вивчення основ контролю та випробування електронних виробів.

В результаті вивчення дисципліни студенти повинні знати: особливості технології виробництва приладів електронної техніки; основні етапи і особливості виробництва електронних приладів; основи та принципи планарної та інтегральної технології; складати технологічні карти.

Студенти повинні вміти застосовувати одержані знання на практиці, тобто обґрунтувати структуру технологічних процесів типових виробів електронної техніки; вибирати оптимальні базові процеси для обробки виробів мікроелектроніки; формувати вимоги до умов і режимів обробки; розраховувати основні параметри базових процесів; практично використовувати найпростіші технологічні операції.


Програма може бути використана при всіх формах навчання студентів.

^

ЗМІСТ ДИСЦИПЛІНИ



ТЕМА 1. Загальна характеристика та структура технології виробництва електронної техніки.

Технологія – засіб для перетворення технічних ідей у практично корисні матеріали, структури і прилади.

Виробничий процес – сукупність усіх дій людей і устаткування, необхідних для виготовлення виробів. У виробничий процес входить не тільки обробка матеріалів і напівфабрикатів, зборка і випуск продукції, але і всі допоміжні процеси такі як: підготовка виробництва, виготовлення інструмента, розробка відповідного устаткування. Складовою частиною виробничого процесу є технологічний процес.

Технологічний процес – частина виробничого процесу, що містить дії по зміні і наступному визначенні стану предмета виробництва. Технологічний процес зв'язаний зі зміною властивостей матеріалу і їхніх параметрів.

В електроніці розрізняють три типи виробництва: одиничне, серійне, масове, кожне з яких характеризується таким поняттям як програма випуску.

Одиничне виробництво характеризується широкою номенклатурою виробів, що виготовляються, і малим обсягом випуску.

Серійне виробництво характеризується обмеженою номенклатурою виробів, що виготовляються періодично повторюваними партіями і порівняно великим обсягом випуску.

Масове виробництво характеризується вузькою номенклатурою виробів, що виготовляються, і великим обсягом випуску. Вища форма масового виробництва – це безперервний потік, тобто час виконання кожної операції дорівнює або кратно часу виконання операцій по всьому потоці, що дозволяє робити обробку баз заділів і з визначеним проміжком часу.

Технологічність виробу – можливість уніфікувати операції.

Основна вимога до устаткування електротехніки – прецизійність мікро обробки поверхні, що повинно забезпечити необхідну якість виробів, що виготовляються.
^

Якість продукції – сукупність властивостей, що обумовлюють її здатність задовольнити визначеним вимогам відповідно до призначення виробу.


Фактори, що впливають на працездатність електронних приладів у процесі експлуатації, підрозділяються на електричні, кліматичні, механічні та радіаційні.

Якість виробу, що виготовляється, визначається як ступінь досконалості продукції, що фіксується вимогами, що враховують запити споживача і можливості виробництва. На якість продукції впливають визначені етапи створення продукції. На першому етапі (етап проектування) характеристикою є технічне завдання – ТЗ. Другий етап (етап виробництва) полягає в тому, що всі операції повинні відповідати технічної документації (ТД). На третьому етап (етапі застосування) характеристикою є ступінь задоволення споживачеві.


^ ТЕМА 2. Підготовка та обробка поверхні підложки.

Операції поверхневої обробки напівпровідників, за­стосовувані у виробництві приладів або при наукових дослідженнях, починаються з вирізування або виколю­вання тонких платівок чи брусочків із великих моно­кристалів, та складається з таких операцій:

  1. розрізування;

  2. шліфування;

  3. полірування;

  4. промивання та висушування поверхні.


ТЕМА 3. Методи очистки напівпровідникових матеріалів.

Всі методи очищення напівпровідникових матеріалів поділяються на дві групи – фізичні та хімічні.

Хімічні методи очищення. Суть їх полягає в тому, що речовину, забруднену домішками, приводять у таку хімічну сполуку, у якої б відрізнялися властивості домішок та самої сполуки своїми фізичними і хімічними властивостями більше, ніж у первинному виді.

Фізичні методи очищення. До них відносяться сублімація, фракційна дистиляція, екстракція, сорбція, термічна дисоціація і перекристалізація.

Метод перекристалізації розподіляється на : спрямована, Бриджмена, Чохральського, зонна, метод живлення розплаву та метод програмного витягування.


^ ТЕМА 4. Основні технологічні операції напівпровідників. Легування матеріалів. Дифузійне легування.

Легування здійснюється з метою одержання напівпровідників з визначеними властивостями, такими як типом провідності, питомим опором, концентрацією носіїв заряду й ін. Т.ч. легування – це насичення напівпровідників визначеними домішками з метою одержання необхідних його властивостей.

Тип провідності характеризується визначеним характером електричного поводження домішки в напівпровіднику. Більшість інших властивостей є функцією концентрації домішок у кристалі напівпровідника.

Дифузія являє собою обумовлене тепловим рухом переміщення часток у напрямку убування їхньої концентрації. При дифузії в кристалах розрізняють переміщення домішкових атомів і атомів твердого тіла, тобто відбувається процес самодифузії. Швидкість дифузії залежить від градієнта концентрації атомів. Теоретично в кристалах передбачається три механізми дифузії:

  1. Атоми домішки й основної речовини взаємно обмінюються місцями у вузлах правильних ґрат.

  2. Атоми домішки можуть дифундувати між атомами ґрат.

  3. Дифузія може відбуватися по вакансіях у вузлових місцях неправильних ґрат.

Математично всі механізми дифузії описуються законами Фіка.

Напівпровідникова техніка зацікавлена в такому не­рівномірному розподілі домішок всередині кристала, який створює р—п або п—р-переходи. Основною озна­кою наявності електронно діркових переходів є явище односторонньої (уніполярної) провідності, ознакою якої е, несиметрична нелінійна вольт амперна характеристика переходу.

Високоякісний р-п перехід або сукупність взаємо­діючих переходів є найважливішою і невід'ємною части­ною багатьох типів діодів, тріодів, тетродів, фотоелемен­тів та інших подібних приладів.


^ ТЕМА 5. Технологія епітаксійних структур.

Для створення напівпровідникових приладів і елементів ІМС широко застосовують метод епітаксіального нарощування чи метод епітаксії.

Епітаксією називають орієнтоване нарощування шарів речовини з відтворенням кристалічної структури підкладки. При цьому речовини, що осаджуються, повинні мати достатню енергію, а також здатність мігрувати по поверхні підкладки, щоб формування кристалічних ґрат відбувалися рівномірно і по всій поверхні без утворення дефектів. Товщина нарощуваного шару може бути від моно слою до декількох десятків мікрон. Епітаксіальний шар кремнію можливо виростити і на самому кремнії. Якщо нарощувані епітаксіальні шари за хімічним складом не відрізняються (чи відрізняються незначно) від речовини підкладок і в результаті одержують гомогенні p-n переходи, то такий процес називається гомоепітаксіею (автоепітаксіею).

Процес орієнтованого нарощування епітаксіальних шарів, що істотно відрізняються за хімічним складом від речовини підкладок і не вступають з ними у хімічну взаємодію, називаються гетероепітаксіею. При цьому процесі утворюються гетерогенні p-n переходи.

Орієнтоване нарощування епітаксіальних шарів, що супроводжується хімічною взаємодією отриманого шару з речовиною підкладки, називаються хемоепітаксіею. Утворений при цьому проміжний шар відрізняється по хімічному складу, як від речовини підкладок, так і від речовини, що осаджується, але має таку ж кристалічну структуру, як і вихідна підкладка.

Найбільш частіш епітаксіальні шари осаджують з газової фази (газова епітаксія) чи кристалізацією з рідкої фази (жидкофазна епітаксія).

Механізм орієнтованого росту монокристалічних шарів залежить від технологічного методу. Таких методів існує три:

  1. газові реакції;

  2. вакуумне осадження;

  3. кристалізація з рідкої фази.

У ряді випадків конденсація і нарощування з парової фази здійснюється не у виді прямого переходу газова фаза – тверда фаза, а в процесі більш складного переходу газова фаза – рідка фаза – тверда фаза.


^ ТЕМА 5. Формування захисного та пасивіруючого покриття.

В технології виготовлення напівпровідникових і ІМС як захисні покриття використовують шари діоксида кремнію (SiО2) і нітриди кремнію (Si3N4). Ці шари виконують роль маски при локальній обробці напівпровідникових пластин. Шари діоксида кремнію мають властивості:

  1. Рівномірністю товщини, міцністю і суцільністю.

  2. Достатньою чистотою (без домішок).

  3. Здатність чи захищати маскувати підкладки від проникнення домішок при дифузії.

  4. Температурний коефіцієнт лінійного розширення діоксида кремнію є близьким такому ж коефіцієнту кремнію й інших напівпровідників.

  5. Ці шари мають високі діелектричні характеристики:

Методи формування шарів діоксиду кремнію засновані на хімічній взаємодії окислювача з матеріалом чи пластини розкладання з'єднань поступаючи з зовні (піроліз).

Термічне окислювання найбільш розповсюджений метод одержання шарів діоксиду кремнію нагріванням кремнієвих пластин в окисній атмосфері.

Стадії термічного окислювання:

  1. Адсорбція окислювача на початку на поверхні кремнію, а потім діоксиду кремнію.

  2. Перенос (дифузія) окислювача через шар діоксиду кремнію.

3.Реакція окислювача з кремнієм на границі роздягнула кремній - діоксид кремнію.


ТЕМА 6. Зварка та пайка.

Зварювання – одержання нероз'ємного з'єднання матеріалів тиском чи плавленням.

Зварювання тиском виконують при температурах нижче крапки плавлення матеріалів, що зварюються, без використання припою і з додатком зусилля, достатнього для виникнення необхідної пластичної деформації поверхонь, що з'єднуються. До зварювання тиском відносять термокомпресійну, ультразвукову, контактну (мікроконтактну), холодну та дифузійну.

З'єднання матеріалів у твердій фазі супроводжується схоплюванням і спіканням. Схоплювання – це основне явище в процесі утворення міцного монолітного з'єднання. Спікання – це комплекс дифузійних процесів, що протікають у часі при підвищених температурах.

Зварювання плавленням - це процес одержання нероз'ємного з'єднання при місцевому плавленні матеріалів у результаті кристалізації розплаву, що утворить міцні зв'язки між атомами. При зварюванні плавленням зближення атомів (дифузія) відбувається при активізації поверхні твердих матеріалів впливом теплової енергії і змочуванням їхніх поверхонь рідким матеріалом (розплавом). Цей вид зварювання відбувається спонтанно злиттям рідкого металу без додатка тиску. Обидві стадії з'єднання: утворення фізичного адгезійного контакту і хімічна взаємодія, супроводжувані дифузією, протікають дуже швидко, що не відбивається на якості з'єднання однорідних металів з обмеженою взаємною розчинністю можливе утворення в звареному шві тендітних інтерметалевих прошарків. У процесі зварювання рідкий метал розтікається і прилипає до поверхні твердого металу. При затвердінні розплавленого металу відбувається перетворення слабких адгезійних зв'язків у міцні хімічні і відповідні природі з'єднання металів і їх типу кристалічні ґрати.

Пайка - процес одержання нероз'ємного з'єднання нагрітих матеріалів за допомогою розплавлених припоїв, що взаємодіє з ними, і після кристалізації утворить паяний шов. Пайка характеризується змочуванням та паяємостью. Властивості з'єднаних матеріалів вступати у фізика - хімічна взаємодія з розплавленим припоєм називається змочуванням , а їхня здатність з'єднуватися між собою називається паяємостью. Пайка може з'єднувати всі метали, метали з неметалами, неметали, якщо буде забезпечена така активація їхньої поверхні, при якій між атомами матеріалів, що з'єднуються, і припоєм буде встановлена міцна фізика - хімічний зв'язок. У виробництві напівпровідникових приладів в основному споюють метали з неметалами.

Для очищення металевої поверхні хімічним шляхом застосовують флюси, що руйнують і видаляють окісні плівки, а також охороняють очищені поверхні від пір, поки припой не розтечеться по ній.

Для пайки великих деталей припой може бути виготовлений у виді кілець навивкою на оправлення дроту і наступної розрізкою її на відповідні деталі. Крім того, припой у потрібних кількостях у виді малюнка наносять на підкладку методом трафаретної печатки.

Основними видами пайки є:

  1. Капілярна.

  2. Дифузійна.

  3. Контактно – реактивна або реакційна.


ТЕМА 7. Літографічне виробництво.

Невід'ємною частиною технології виготовлення напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем є процеси літографії, засновані на використанні високомолекулярних з'єднань, названих резистами, і які мають здатність змінювати свої властивості під дією різного роду випромінювань.

Розрізняють кілька видів літографій:

  1. Фотолітографія – застосовуються ультрафіолетове випромінювання.

  2. Рентгено–променева літографія – застосовується рентгенівське випромінювання.

  3. Електронолітографія – застосовують випромінювання, що складається з потоку електронів.

Найбільш широке поширення одержала фотолітографія, що підрозділяється на контактну і проекційну. При фотолітографії в плівкових чи шарах безпосередньо на підкладці створюють по заданих малюнках високоточні рельєфи майбутніх напівпровідникових приладів і ИМС. Рельєфи можуть бути сформовані в діелектричних (Si2, Si3N4), металевих (Al, Cu, Au) чи напівпровідникових (Si, Ge) шарах.

Властивості фоторезистів характеризуються поруч параметрів:

  1. Світлочутливість – це здатність фоторезисту змінювати свої властивості під дією світлового випромінювання.

  2. Здатність, що дозволяє - це максимально можлива кількість ліній, розділених проміжками такої ж товщини на одному міліметрі поверхні, що може бути відтворена в шарі фоторезисту.

  3. Кислотостійкість – це здатність фоторезисту протистояти впливу кислот, таких як азотна (HNO3), соляна (HCl), фтористоводнева (HF) і ін. А в деяких випадках і лугів: KOH, NaOH і ін.


^ ТЕМА 8. Нанесення тонких шарів.

У виробництві напівпровідникових приладів і ІМС широко використовуються тонкі металеві і діелектричні плівки.

Металеві плівки застосовують для виготовлення тонкошарових резисторів і конденсаторів, комутаційних елементів і контактних майданчиків, омічних контактів і т.п. Залежно від призначення ІМС, використовуються як плівки з платини, золота, срібла, нікелю, хрому, міді, алюмінію, титану, молібдену, так і багатошарові плівкові структури.

Діелектричні плівки (SiO2, SIO, GEO, Al2O3, Si3N4 і т.д.) використовують для виготовлення тонкопленочних конденсаторів, захисту тонкопленочних елементів, p-n переходів і поверхні напівпровідникових пластин, а також для створення межслойной ізоляції в багатошарових комутаційних платах і ін.

Найбільш поширені методи нанесення тонких плівок:

1. Термічне випаровування матеріалів у вакуумі (резістівним і високочастотним нагрівом, нагрівом електронним променем або лазером).

2. Іонним розпилюванням (катодним, іонно-плазмовим або магнетронним).

3. Іонно-термічним випаровуванням.


ТЕМА 9. Планарна технологія виготовлення елементів.

Планарна і планарно-епітаксіальна технологія широко застосовується в електроніці для виготовлення елементів сучасних напівпровідникових приладів. У планарної технології використовуються монокристалічні напівпровідникові підкладки визначеного типу електропровідності, а при планарно-епітаксіальної технології на такі підкладки додатково нарощувати епітаксіальний шар протилежного типу електропровідності товщиною від 2.5 – 10 мкм.

При планарної технології рельєф у плівці діоксиду кремнію створюють за допомогою фотолітографії. Якість проведення, який впливає на весь процес формування планарних структур. У планарної технології вже найперша операція, тобто окислювання підкладок перешкоджає наступному забрудненню виготовлених р-n переходів. Остаточну операцію створення р-n переходів проводять груповим методом одночасно з перерозподілом атомів емітерної домішки. Поверхня кремнієвих підкладок з вирощеним епітаксіальним шаром перед термічним окислюванням полірують алмазним порошком або шліфують оксидом алюмінію, а потім обробляють у кислотному поліруючому травителі. При виготовленні транзисторів спеціального призначення часто застосовують електрохімічне полірування. Потім ретельно видаляють можливе забруднення хімічним шляхом.


^ ТЕМА 11. Метод корпусної герметизації.

Корпусна герметизація припускає попереднє виготовлення елементів корпусу - підстави з ізольованими висновками, кришки і допоміжних деталей. Після монтажу кристала (підкладки) на підставу і приєднання висновків встановлюють кришку, внаслідок чого утворюється порожнистий замкнутий об'єм.

При безкорпусній герметизації заздалегідь виготовляють лише мінімально необхідну арматуру - систему зовнішніх висновків, а виготовлення корпусу суміщає з процесом герметизація. Кристал (підкладку), сполучений із зовнішніми висновками, в цьому випадку заливають полімерними компаундами. При цьому компаунд заповнює всі конструктивні проміжки.

При комбінованій герметизації заздалегідь виготовляють капсулу у вигляді металевого ковпачка, в якій встановлюють збірку підкладки з висновками і заливають герметизуючим компаундом.


^ ПЕРЕЛІК ЛАБОРАТОРНИХ РОБІТ


  1. Вступне заняття. Техніка безпеки.

  2. Лабораторна зварка.

  3. Моделювання вольт-амперних характеристик МДН – структур.

  4. Визначення характеристик пінопласту.

  5. Складання та пайка схеми.



^
РЕКОМЕНДОВАНА ЛІТЕРАТУРА
Основна:




  1. Нашельский А.Я. Производство полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия, 1989.

  2. Микроэлектронника.- М.: Мир,1989.

  3. Общая технология. / И.Я.Козырь, Ю.И.Горбунов, Ю.С.Чернозубов, А.С.Пономарев . - Т.1-6.- М.: Высшая школа, 1983.- 223 с.

  4. Н.А.Аваев, Ю.Е.Наумов, В.Т.Фролкин. Основы микроэ-лектроники. – М.: Радио и связь, 1991. – 289 с.


Додаткова:


  1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Сов.радио, 1980. – 423 с.

  2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер.с англ./ Под ред. Р.А.Суриса: в 2 т. – М.: Мир, 1984.

  3. Парфенов М.Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА. – М.: Радио и связь, 1982. – 288 с.



Добавить документ в свой блог или на сайт


Реклама:

Похожие:

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма дисципліни (Типова) "Соціальні проблеми та охорона праці" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 "Фізична та біомедична електроніка"
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри “Фізична та біомедична електроніка”

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма дисципліни (Типова) "Матеріали електронної техніки" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 "Фізична та біомедична електроніка"
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри “Фізична та біомедична електроніка”

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма дисципліни (Типова) "Мікропроцесорна техніка" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 "Фізична та біомедична електроніка"
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри “Фізична та біомедична електроніка”

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма (типова) „ Твердотіла електроніка статус дисципліни нормативна для спеціальності
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри „Фізична та біомедична електроніка”

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма дисципліни (типова) економічні основи в електроніці статус дисципліни вибіркова для спеціальності
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри „Фізична та біомедична електроніка” хнту

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconХерсонський національний технічний університет
Методичні рекомендації та індивідуальні завдання для самостійної роботи студентів спеціальності 090804 – Фізична та біомедична електроніка...

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconМетодичні вказівки до виконання курсової роботи з дисципліни „Технологічні основи електроніки для студентів 3 курсу
Методичні вказівки до виконання курсової роботи для студентів очної та заочної форм навчання з дисципліни „Технологічні основи електроніки”...

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма (типова) "Метрологія"" статус дисципліни нормативна для студентів першого курсу для спеціальності
Навчальна програма дисципліни (типова) „Метрологія” розглянута на засіданні кафедри „Фізична та біомедична електроніка”

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма дисципліни (Типова) "Спецкурс №2" статус дисципліни вибіркова для спеціальності
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри “Фізична та біомедична електроніка”

Програма дисципліни (Типова) \"Технологічні основи електроніки\" статус дисципліни нормативна для спеціальності: 090804 \"Фізична та біомедична електроніка\" iconПрограма дисципліни (Типова) " Лабораторна діагностика " статус дисципліни вибіркова для спеціальності
Навчальна програма дисципліни (типова) розглянута на засіданні кафедри “Фізична та біомедична електроніка”

Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©zi.zavantag.com 2000-2013
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы